Indústria de semicondutores planeja investir US$ 400 bilhões em equipamentos de 300 mm nos próximos três anos
Os investimentos globais em equipamentos para fabs de 300 mm são projetados para atingir o recorde de US$ 400 bilhões de 2025 a 2027, segundo o relatório trimestral “300mm Fab Outlook Report to 2027”, divulgado pela Semi. Os robustos investimentos estão sendo impulsionados pela regionalização das fabs de semicondutores e pela crescente procura de chips de inteligência artificial (IA) utilizados em data centers e dispositivos periféricos.
A projeção é que os investimentos em equipamentos para fabs de 300 mm cresçam 4%, para 99,3 bilhões de dólares em 2024, e aumentem mais 24%, para 123,2 bilhões de dólares em 2025, ultrapassando o nível de 100 bilhões de dólares pela primeira vez. A previsão é que os investimentos registrem um crescimento de 11%, para 136,2 bilhões de dólares em 2026, seguido de um aumento de 3%, para 140,8 bilhões de dólares em 2027.
“A magnitude do aumento esperado nos investimentos globais com equipamentos para fabs de 300 mm em 2025 prepara o terreno para um período recorde de três anos de investimentos na produção de semicondutores”, diz Ajit Manocha, presidente e CEO da Semi. “A necessidade onipresente de chips no mundo está aumentando os gastos em equipamentos tanto para tecnologias de ponta voltadas para aplicações de IA quanto para tecnologias maduras impulsionadas por aplicações automotivas e IoT.”
CRESCIMENTO REGIONAL – A China deverá manter a posição como a região que mais investe em equipamentos de 300 mm em âmbito mundial até 2027,com mais de 100 bilhões de dólares nos próximos três anos, impulsionada pelas suas políticas nacionais de autossuficiência. No entanto, a previsão é que as inversões diminuam gradualmente depois de um pico de 45 bilhões de dólares em 2024 para 31 bilhões de dólares em 2027.
A Coreia do Sul deverá ficar em segundo lugar e investir US$ 81 bilhões nos próximos três anos para aumentar seu domínio em segmentos de memória, incluindo DRAM, memória de alta largura de banda (HBM) e 3D NAND Flash. Taiwan deverá investir 75 bilhões de dólares em equipamentos de 300 mm nos próximos três anos, ocupando o terceiro lugar, à medida que os fabricantes de chips da região constroem algumas novas fábricas no estrangeiro. A lógica de ponta abaixo de 3 nm é o principal impulsionador dos investimentos nas fábricas de Taiwan.
A projeção é que as Américas invistam 63 bilhões de dólares entre 2025 e 2027, enquanto o Japão, a Europa, o Médio Oriente e o Sudeste Asiático investirão 32 bilhões de dólares, 27 bilhões de dólares e 13 bilhões de dólares, respectivamente, durante o período de três anos. A previsão é que estas regiões mais do que dupliquem o seu investimento em equipamentos em 2027, em comparação com 2024, devido a incentivos políticos destinados a aliviar as preocupações sobre o fornecimento de semicondutores essenciais.
CRESCIMENTO POR SEGMENTO – Os investimentos para equipamentos de foundry devem atingir aproximadamente 230 bilhões de dólares entre 2025 e 2027, impulsionados por investimentos em nós de ponta abaixo de 3 nm, bem como por gastos contínuos em nós maduros. O investimento em processos lógicos de 2 nm e o desenvolvimento de tecnologias-chave em 2 nm, como a estrutura de transistor gate-all-around (GAA) e a tecnologia de fornecimento de energia back-side, é crucial para atender às futuras necessidades de computação de alto desempenho e eficiência energética, especialmente para aplicações de IA. Espera-se que os processos econômicos de 22nm e 28nm registrem crescimento devido ao aumento da demanda por eletrônicos automotivos e aplicações IoT.
O segmento Logic and Micro deverá liderar a expansão dos investimentos em equipamentos nos próximos três anos, com uma inversão total prevista de 173 bilhões de dólares. Memória vem em segundo lugar, devendo contribuir com mais de 120 bilhões de dólares em investimentos durante o mesmo período, marcando o início de outro ciclo de crescimento do segmento. Dentro do segmento Memória, o investimento em equipamentos relacionados a DRAM deverá ultrapassar 75 bilhões de dólares, enquanto o investimento em 3D NAND deverá atingir 45 bilhões de dólares.
O segmento relacionado com energia ocupa o terceiro lugar, com um investimento esperado de mais de 30 bilhões de dólares nos próximos três anos, incluindo cerca de 14 bilhões de dólares para projetos de semicondutores compostos. O segmento de sinais analógicos e mistos deverá atingir 23 bilhões de dólares durante o mesmo período, seguido por Opto/Sensores, com 12,8 bilhões de dólares. (Franco Tanio)