Kioxia desenvolve a tecnologia Octram
A Kioxia Corporation, do segmento de soluções de memória, anuncia o desenvolvimento da Octram (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM), um novo tipo de DRAM 4F2, composta por um transistor semicondutor de óxido que tem uma alta corrente ON e uma corrente OFF ultrabaixa, simultaneamente.
Espera-se que essa tecnologia produza uma DRAM de baixo consumo de energia, trazendo à tona a propriedade de vazamento ultrabaixo do transistor InGaZnO – um composto de In(índio), Ga(gálio), Zn(zinco) e O(oxigênio.
.Essa conquista foi desenvolvida em conjunto pela Nanya Technology e pela Kioxia Corporation. Essa tecnologia tem o potencial de reduzir o consumo de energia em uma ampla gama de aplicações, incluindo sistemas de comunicação AI e pós-5G e produtos IoT.
O Octram utiliza um transistor vertical InGaZnO em forma de cilindro como um transistor de célula. Esse design permite a adaptação de um a DRAM 4F2, que oferece vantagens significativas na densidade de memória em comparação com a DRAM 6F2 convencional baseada em silício.
O transistor vertical InGaZnO atinge uma alta corrente ON de mais de 15μA/célula (1,5 x 10-5 A/célula) e uma corrente OFF ultrabaixa abaixo de 1aA/célula (1,0 x 10-18 A/célula) por meio da otimização do dispositivo e do processo. Na estrutura da Octram, o transistor vertical de InGaZnO é integrado em cima de um capacitor de alta proporção (processo capacitor-first). Esse arranjo permite o desacoplamento da interação entre o processo avançado do capacitor e o desempenho do InGaZnO. (imagem/divulgação)
