Nova tecnologia de memória Flash 3D da Kioxia e da SanDisk obtém a maior densidade de bits do setor para QLC NAND

A Kioxia Corporation e a SanDisk Corporation apresentaram sua tecnologia de memória flash 3D Quad-Level-Cell (QLC) da mais recente geração, que proporciona um aumento de até 60% na densidade de bits em relação à sua 8ª geração, que supera 37 Gb/mm² e estabelece uma referência ao setor para densidade de bits, desempenho e eficiência energética.

Ao aproveitar a tecnologia CMOS diretamente ligada à matriz (CBA) das empresas, que fabrica a lógica CMOS e a matriz de memória em wafers separados antes de uni-los com alinhamento de alta precisão entre wafers, a nova geração melhora a largura de banda de leitura e gravação em comparação com a memória flash 3D de 8ª geração e se torna a primeira tecnologia de memória flash 3D QLC do setor a alcançar uma interface de 04,8 Gb/s.

Aperfeiçoamentos adicionais na interface melhoram a eficiência energética da transferência de saída de dados I/O. Estas melhorias significativas na eficiência energética abordam diretamente os desafios de energia e resfriamento da infraestrutura moderna de IA e nuvem.

“À medida que a IA continua suportando o avanço da sociedade, suas aplicações estão se expandindo da IA ​​generativa à IA baseada em agentes e à IA física, enquanto o uso de dados se torna cada vez mais diversificado e sofisticado. A tecnologia QLC possibilita o armazenamento eficiente de volumes de dados em rápida expansão, contribuindo para oferecer maior desempenho e escalabilidade aos sistemas de IA. A Kioxia irá acelerar o desenvolvimento visando à comercialização de seus produtos de memória flash de 10ª geração que incorporam a tecnologia QLC”, afirma Hideshi Miyajima, diretor de Tecnologia da Kioxia.

“Conforme as cargas de trabalho de treinamento e inferência de IA e centros de dados de hiperescala impulsionam um crescimento sem precedentes na geração de dados, o setor de armazenamento enfrenta uma crescente pressão para oferecer maior capacidade, desempenho superior e melhor eficiência energética. Ao redefinir os limites de desempenho e eficiência da tecnologia QLC NAND, nossa memória flash 3D QLC de 10ª geração proporciona ganhos simultâneos em densidade, largura de banda e eficiência energética, ao estabelecer um novo paradigma para o armazenamento flash de alta capacidade e oferecer uma base escalável para aplicações de infraestrutura de última geração”, diz Alper Ilkbahar, diretor de Tecnologia da SanDisk.

Os principais destaques da tecnologia de memória flash QLC 3D de 10ª geração incluem:

– A arquitetura de 332 camadas e o design de layout otimizado proporcionam um aumento de até 60% na densidade de bits, chegando a mais de 37 Gb/mm² em comparação com a 8ª geração.

– Interface de 4.8 Gb/s3 NAND habilitada pelo Toggle DDR6.0 e pelo protocolo Separate Command Address (SCA) para liberar todo o potencial da interface de alta velocidade.

– A arquitetura CMOS diretamente vinculada à matriz (CBA) melhora a escalabilidade da densidade, o desempenho e a eficiência de fabricação.

– A terminação com derivação inferior e isolamento de potência (PI-LTT) aprimora a eficiência energética da transferência de dados de saída I/O.