Samsung anuncia produção em escala de novos produtos de memória para aplicação automotiva

A Samsung Electronics Co., Ltd anuncia que já produz em escala uma nova e extensa linha de soluções de memória de aplicação automotiva, projetadas para veículos elétricos autônomos de próxima geração. A nova linha inclui um SSD de 256 gigabytes (GB) PCIe Gen3 NVMe ball grid array (BGA), 2GB GDDR6 DRAM e 2GB DDR4 DRAM para sistemas de infoentretenimento de alto desempenho, bem como 2GB GDDR6 DRAM e 128GB Universal Flash Storage (UFS) para sistemas autônomos de direção.
“Com a recente proliferação de veículos elétricos e o rápido avanço dos sistemas de infoentretenimento e direção autônoma, a plataforma automotiva de semicondutores está enfrentando uma mudança de paradigma. O que costumava ser um ciclo de substituição de sete a oito anos, agora está sendo comprimido em três a quatro ciclo de um ano e, ao mesmo tempo, os requisitos de desempenho e capacidade estão avançando para níveis comumente encontrados em servidores”, afirma Jinman Han, vice-presidente executivo e chefe de Vendas e Marketing Global de Memória da Samsung Electronics. “A linha reforçada de soluções de memória da Samsung atuará como um grande catalisador para acelerar ainda mais a mudança em direção à era ‘Server on Wheels’.”
Recursos avançados em sistemas de infoentretenimento, como mapas de alta definição, streaming de vídeo e jogos 3D, junto com o uso crescente de sistemas de direção autônoma, têm impulsionado a demanda por SSDs de alta capacidade e desempenho e DRAM gráfica em toda a indústria automotiva.
Em 2017, a Samsung foi a primeira do setor a apresentar soluções UFS para aplicações automotivas. Hoje, a empresa está bem posicionada para fornecer uma solução total de memória com o novo SSD automotivo e DRAM GDDR6.
O controlador SSD BGA de 256 GB e firmware da Samsung são desenvolvidos internamente para desempenho otimizado, oferecendo uma velocidade de leitura sequencial de 2.100 megabytes por segundo (MB/s) e uma velocidade de gravação sequencial de 300 MB/s, que são, respectivamente, sete e duas vezes mais rápidas do que os eMMC de hoje. Além disso, a DRAM GDDR6 de 2 GB apresenta uma taxa de dados de até 14 gigabit por segundo (Gbps) por pino. Essas velocidades e largura de banda excepcionais suportarão o processamento complexo de várias aplicações multimídia, bem como grandes quantidades de dados de direção autônoma.
Além disso, as novas soluções automotivas da Samsung atendem à qualificação AEC-Q100 – o padrão de confiabilidade automotivo global – permitindo que operem de forma estável em temperaturas que variam de -40 ° C a +105 ° C, que é um requisito especialmente crucial para semicondutores automotivos. Tendo já concluído as avaliações dos clientes, os novos produtos de memória automotiva estão atualmente em produção em massa.